Transistor mosfet de polaridad N, empaque TO-220.
Características:
- Polaridad del transistor:N
- Voltaje máximo Vds: 200V
- Máxima corriente Id: 9A
- Resistencia Rds: 400mΩ (0.4Ω)
- Máximo voltaje Vgs: 3V
- Potencia de disipación: 100W
- Número de pines: 3
- Empaque: TO-220
- Montaje tipo through hole
Corriente ID | 9A |
Voltaje Vds | 200V |
Potencia | 100W |
Encapsulado semiconductores | TO-220 |
IRF630-Datasheet.pdf
Download