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Transistor mosfet canal N 500V 2.5A IRF820

Ref: IRF820PBF
Transistor mosfet canal N 500V 2.5A, encapsulado TO-220, de montaje through hole.
Descripción:

Transistor mosfet canal N 500V 2.5A, encapsulado TP220, montaje through hole. Entre sus principales aplicaciones están:

  • Suicheo rápido
  • Suicheo de corrientes altas
  • SMPS
  • Conversores DC/DC para equipo de soldadura y drivers para motores

Características:

  • Continuous Drain Current a Tc =25°C: 4.5A máximo
  • Drain-to-Source Breakdown Voltage: 500V máximo
  • Potencia de disipación: 50W
  • Temperatura de operación: hasta 150°C
  • Encapsulado: TO220

[La imagen sólo se usa como referencia]

 

Hoja de datos de referencia:

 

 

 

 

 

 


Palabras claves: transistor, Mosfet, canal N, TO-220, through hole