Mosfet canal P de montaje superficial.VDS:20V.
Características:
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
- Corriente-consumo continuo (Id) a 25°C: 2.8A (Ta)
- Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.): 2.5V, 4.5V
- Rds On (máx) @ Id, Vgs: 120mOhm a 2.8A, 4.5V
- Vgs(th) (máx) a Id: 450mV a 250µA (mín.)
- Vgs (máx.): ±8V
- Disipación de potencia (Máx.): 1.25W (Ta)
- Polaridad: P
- Encapsulado: SOT-23
- Montaje superficial SMD
| Corriente ID | 2.9A |
| Voltaje Vds | 20V |
| Potencia | 1.25W |
| Encapsulado semiconductores | SOT-23 |
SI2301-Datasheet.pdf
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