Mosfet canal P de montaje superficial.VDS:60V.
Características:
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V
- Corriente-consumo continuo (Id) a 25°C: 196mA (Ta)
- Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.): 4.5V, 10V
- Rds On (máx) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 100mA, 10V
- Vgs(th) (máx) a Id: 3V @ 250µA
- Vgs (máx.): ±20V
- Disipación de potencia (Máx.): 347W (Ta)
- Polaridad: P
- Encapsulado: SOT-23-3
- Montaje superficial SMD
| Corriente ID | 196mA |
| Voltaje Vds | 60V |
| Potencia | 348W |
| Encapsulado semiconductores | SOT-23-3 |
NTR5105P-D-Datasheet.PDF
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