Transitor BJT de montaje superficial.
Características:
- Tipo: NPN Pre-Bias
- Corriente de colector Ic (máx.): 100mA
- Voltaje-Colector Emisor (máx): 50V
- Resistencia-Base (R1): 10 kOhms
- Resistencia- Emisor Base (R2): 10kOhms
- Voltaje de saturación Vce (máx.)@Ib, Ic: 250mV@300uA, 10mA
- Potencia (máx.): 230mW
- Encapsulado: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Montaje superficial
Datos técnicos
Palabras claves:transistor NPN, propósito general, transistores, Pre Bias
| Encapsulado semiconductores | SOT-23-3 or TO-236-3 or SC-59 |
| Voltaje colector-emisor | 50V |
| Corriente de colector | 100mA |
| Potencia | 230mV |