Transistor Darlington PNP con bajo voltaje de saturación Colector-Emisor . Posee un diodo antiparalelo integrado entre Colector-Emisor.
Características:
- Polaridad del transistor: PNP
- Voltaje de Colector-Emisor VCEO máx.: 100V
- Voltaje de saturación Colector-Emisor: 2V @ Ib=16mA, Ic=4A
- Corriente máxima de Colector: 8A
- Máxima disipación de potencia: 20W
- Encapsulado: DPak (TO-252-3)
- Montaje superficial SMD/SMT
Datos técnicos
Palabras claves:transistor PNP darlington, transistores
| Voltaje colector-emisor | 100V |
| Corriente de colector | 8A |
| Potencia | 20W |
| Encapsulado semiconductores | DPAK (TO-252) |