Transistor BJT tipo PNP, de montaje through hole.
Características:
- Tipo PNP
- Corriente-Colector (Ic): 3A (máx.)
- Voltaje-Colector Emisor (Breakdown): 30V (máx.)
- Votaje de Saturación (Vce) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
- Corriente-Colector (Cutoff): 1uA(ICBO)
- Ganancia de corriente DC (hFE)(min) @ Ic, Vce: 160@1A, 2V
- Potencia: 1W (máx.)
- Frecuencia: 80MHz
- Encapsulado: TO-126-3
- Montaje through hole
Datos técnicos de referencia
Palabras claves:transistor PNP, propósito general, transistores, bipolar, BJT
| Voltaje colector-emisor | 30V |
| Corriente de colector | 3A |
| Encapsulado semiconductores | TO-126-3 |