Transistor de canal N, encapsulado TO-92S de montaje through hole.
Características:
- Tipo JFET
- Drain-to-Source Breakdown Voltage: 20V máximo
- Potencia de disipación: 100mW
- Encapsulado: TO-92S
[La imagen sólo se usa como referencia]
Palabras claves: transistor, JFET, canal N, TO-92S, through hole
| Voltaje Vds | 20V |
| Potencia | 100W |
| Encapsulado semiconductores | TO-92S |