Transistor IGBT (transistor bipolar de puerta aislada)de canal N ideal para aplicaciones de electrónica y convertidores de alta frecuencia.
Características:
- Corriente del colector DC máxima (Ic): 80A
- Máximo voltaje colector-emisor (VCEO): 600V
- Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.95
- Disipación total del dispositivo (Pc): 306W
- Tipo: canal N
- Número de pines: 3
- Montaje through hole
- Encapsulado: TO-3P (TO-247)
[La imagen sólo se usa como referencia]
Palabras claves:transistor IGTB, canal N
| Voltaje colector-emisor | 600V |
| Voltaje colector-emisor de saturación | 1.95V |
| Corriente del colector DC máxima IGBTs | 80A |
IKW40N60H3-Datasheet.pdf
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