Transistor IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) de canal N con diodo de recuperación suave. Ideal para aplicaciones convertidores de alta frecuencia y control de motores.
Características:
- Voltaje colector-emisor (VCEO): 600V
- Voltaje emisor-puerta (VGE): ±20V
- Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.5V
- Corriente del colector DC máxima (Ic): 27A
- Disipación total del dispositivo (Pc): 160W
- Tipo: canal N
- Número de pines: 3
- Encapsualdo: TO-247
- Montaje through hole
[La imagen sólo se usa como referencia]
| Voltaje colector-emisor | 600V |
| Voltaje colector-emisor de saturación | 1.5V |
| Corriente del colector DC máxima IGBTs | 27A |
| Potencia | 160W |
| Encapsulado semiconductores | TO-247 |
IRG4PC40FD-Datasheet.pdf
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