Transistor MOSFET de canal N, 55V, 49A, 17.5mΩ en encapsulado TO220AB.
Características:
- Voltaje drain-source: Max 55V
- Voltaje Gate-Source: Max 20V
- Corriente continua en Drain: Max 49A
- Potencia total: Max 110 W
- Temperatura de almacenaje y operación: -55°C a 175°C.
- Encapsulado: TO220AB.
[La imagen sólo se usa como referencia]
| Corriente ID | 49A |
| Voltaje Vds | 55V |
| Potencia | 110W |
| Encapsulado semiconductores | TO-220AB |
IRFZ44N-Datasheet.pdf
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