Transistor mosfet canal N 200V 33A IRFP250

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Flip-Flop tipo D 74HC173N
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Transistor mosfet canal N 200V 33A IRFP250

[IRFP250] Transistor mosfet canal N 200V 33A IRFP250

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  • Encapsulado semiconductores

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Transistor mosfet canal N 200V 33A de suicheo rápido. 

Características:

  • Continuous Drain Current, VGS @ 10V: 33A máximo
  • Drain-to-Source Breakdown Voltage: 200V máximo
  • Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C a 150°C
  • Encapsulado: TO247 (TO3)

[La imagen sólo se usa como referencia]

 


Corriente ID 33A
Voltaje Vds 200V
Encapsulado semiconductores TO247 (TO3)
IRFP250-Datasheet.pdf
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