Transistor mosfet canal N 200V 31A IRFB31N20D

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Transistor mosfet canal N 200V 31A IRFB31N20D

[IRFB31N20DPBF] Transistor mosfet canal N 200V 31A IRFB31N20D

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Transistor mosfet canal N 200V 31A para conversores DC-DC de alta frecuencia.

Características:

  • Continuous Drain Current, VGS @ 10V: 31A máximo
  • Drain-to-Source Breakdown Voltage: 200V máximo
  • Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C a 175°C
  • Encapsulado: TO220AB

[La imagen sólo se usa como referencia]

 

 

Corriente ID 31A
Voltaje Vds 200V
Encapsulado semiconductores TO-220AB
IRFB31N20D-Datasheet.pdf
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