MOSFET IRF9630 canal P 200V, 6.5A

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MOSFET IRF9630 canal P 200V, 6.5A

[IRF9630] MOSFET IRF9630 canal P 200V, 6.5A

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Transistor mosfet de potencia canal P 200V, 6.5A de suicheo rápido.

Características:

  • Continuous Source to Drain Current: 6.5A
  • Drain-to-Source Breakdown Voltage: 200V
  • Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C ~ 150°C
  • Encapsulado: TO220AB

[La imagen sólo se usa como referencia]

 

Corriente ID 6.5A
Voltaje Vds 200V
Encapsulado semiconductores TO-220AB
IRF9630-Datasheet.pdf
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