Transistor mosfet de potencia canal P 200V, 6.5A de suicheo rápido.
Características:
- Continuous Source to Drain Current: 6.5A
- Drain-to-Source Breakdown Voltage: 200V
- Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C ~ 150°C
- Encapsulado: TO220AB
[La imagen sólo se usa como referencia]
| Corriente ID | 6.5A |
| Voltaje Vds | 200V |
| Encapsulado semiconductores | TO-220AB |
IRF9630-Datasheet.pdf
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