Transistor mosfet de potencia canal P 100V, 23A de suicheo rápido.
Características:
- Continuous Source to Drain Current: 23A
- Drain-to-Source Breakdown Voltage: 100V
- Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C ~ 175°C
- Encapsulado: TO220AB
[La imagen sólo se usa como referencia]
| Corriente ID | 23A |
| Voltaje Vds | 100V |
| Encapsulado semiconductores | TO-220AB |
IRF9540N-Datasheet.pdf
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