Transistor mosfet canal P 100V 12A. ORIGINAL
Características:
- Continuous Drain Current, VGS @ 10V: 12A máximo
- Drain-to-Source Breakdown Voltage: 100V máximo
- Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C a 150°C
- Encapsulado: TO220AB
[La imagen sólo se usa como referencia]
Corriente ID | 12A |
Voltaje Vds | 100V |
Encapsulado semiconductores | TO-220AB |
IRF9530-Datasheet.pdf
Download