Mosfet canal P de montaje superficial. 30V 10A 8-SOIC. ORIGINAL
Características:
- Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
- Corriente continua de drenaje (Id): 10 A
- Disipación total (Pd): 2.5 W
- Polaridad: P
- Encapsulado: SOIC-8
- Montaje superficial SMD
Referencia Fabricante:IRF7416TRPBF
Corriente ID | 10A |
Voltaje Vds | 30V |
Potencia | 2.5W |
Encapsulado semiconductores | SOIC-8 |
IRF7416-Datasheet.pdf
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