Transistor mosfet canal N 400V 10A de suicheo rápido.
Características:
- Continuous Drain Current, VGS @ 10V: 10A máximo
- Drain-to-Source Breakdown Voltage: 400V máximo
- Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C a 150°C
- Disipación de potencia: 3.1W máximo
- Encapsulado: D2Pack
[La imagen sólo se usa como referencia]
| Corriente ID | 10A |
| Voltaje Vds | 400V |
| Potencia | 3.1W |
| Encapsulado semiconductores | D2PACK |
IRF740AS-Datasheet.pdf
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