Transistor mosfet de potencia canal P 400V, 10A de suicheo rápido.
Características:
- Continuous Source to Drain Current: 10A
- Drain-to-Source Breakdown Voltage: 400V
- Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C ~ 150°C
- Encapsulado: TO220AB
[La imagen sólo se usa como referencia]
| Corriente ID | 10A |
| Voltaje Vds | 400V |
| Encapsulado semiconductores | TO-220AB |
IRF740-Datasheet.pdf
Download