Integrado que contiene dos MOSFET canal N y cuenta con 2 pines para cada Drain. Está fabricado con tecnología HEXFET de quinta generación.
Características:
- Voltaje de ruptura Drain-Source: 30V
- Corriente máxima de Drain: 4.9A @ 25°C
- Máxima disipación de potencia: 2W
- Máxima resistencia RDS On: 50mΩ @ ID=2.4A, VGS=10V
- Encapsulado: SOIC-8
| Corriente ID | 4.9A |
| Voltaje Vds | 30V |
| Potencia | 211.2W |
| Encapsulado semiconductores | SOIC-8 |
IRF7303-Datasheet.pdf
Download