MOSFET IRF640 canal N 200V, 18A. GENÉRICO

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MOSFET IRF640 canal N 200V, 18A. GENÉRICO

[IRF640-GEN] MOSFET IRF640 canal N 200V, 18A. GENÉRICO

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Transistor mosfet de potencia canal N 200V, 18A, de suicheo rápido. GENÉRICO.

Características:

  • Continuous Drain Current, VGS @ 10V: 18A
  • Drain-to-Source Breakdown Voltage: 200V
  • Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C ~ 150°C
  • Encapsulado: TO220AB

[La imagen sólo se usa como referencia]

 


Corriente ID 18A
Voltaje Vds 200V
Encapsulado semiconductores TO-220AB
IRF640-Datasheet.pdf
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