Transistor mosfet de potencia canal N 200V, 18A, de suicheo rápido. GENÉRICO.
Características:
- Continuous Drain Current, VGS @ 10V: 18A
- Drain-to-Source Breakdown Voltage: 200V
- Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C ~ 150°C
- Encapsulado: TO220AB
[La imagen sólo se usa como referencia]
| Corriente ID | 18A |
| Voltaje Vds | 200V |
| Encapsulado semiconductores | TO-220AB |
IRF640-Datasheet.pdf
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