Transistor mosfet de potencia canal N 100V, 28A de suicheo rápido.
Características:
- Continuous Drain Current, VGS @ 10V: 28A
- Drain-to-Source Breakdown Voltage: 100V
- Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C ~ 175°C
- Encapsulado: TO220AB
[La imagen sólo se usa como referencia]
| Corriente ID | 28A |
| Voltaje Vds | 100V |
| Encapsulado semiconductores | TO-220AB |
IRF540-Datasheet.pdf
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