Transistor mosfet canal N 100V 57A de suicheo rápido, extremadamente eficiente y confiable, puede ser utilizado en gran variedad de aplicaciones.
Características:
- Continuous Drain Current, VGS @ 10V: 57A máximo
- Drain-to-Source Breakdown Voltage: 100V máximo
- Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C a 175°C
- Encapsulado: TO220AB
[La imagen sólo se usa como referencia]
| Corriente ID | 57A |
| Voltaje Vds | 100V |
| Encapsulado semiconductores | TO-220AB |
IRF3710-Datasheet.pdf
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