Transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de tres pines. Encapsulado TO-3P. Combina las características de un mosfet con las características de alta corriente y baja-saturación de voltaje de los transistores bipolares
Características:
- Máxima corriente de Colector: 50A (DC)
- Máximo voltaje Colector-Emisor: 600V
- Máximo voltaje de Emisor: ±25V
- Máxima potencia de disipación: 230W
- Velocidad de switching: 1MHz
- Tipo: canal N
- Número de pines: 3
- Montaje: through hole
- Encapsulado: TO-3P (TO-247)
| Voltaje colector-emisor | 600V |
| Voltaje colector-emisor de saturación | 600V |
| Corriente del colector DC máxima IGBTs | 50A |
| Potencia | 230V |
| Encapsulado semiconductores | TO-3P |
GT50JR22-Datasheet.pdf
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