Transistor IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) de canal N ideal para aplicaciones convertidores de alta frecuencia y control de motores.
Características:
- Corriente del colector DC máxima (Ic): 10A
- Máximo voltaje colector-emisor (VCEO): 600V
- Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2V
- Disipación total del dispositivo (Pc): 25W
- Tipo: canal N
- Número de pines: 3
- Montaje through hole
- Encapsulado: TO220F
| Voltaje colector-emisor | 600V |
| Voltaje colector-emisor de saturación | 2V |
| Corriente del colector DC máxima IGBTs | 10A |
| Potencia | 25W |
| Encapsulado semiconductores | TO220F |
GP10NC60KD-Datasheet.pdf
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