Transistor IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) de canal N ideal para aplicaciones convertidores de alta frecuencia y control de motores.
Características:
- Corriente del colector DC máxima (Ic): 20A
- Máximo voltaje colector-emisor (VCEO): 600V
- Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2V
- Disipación total del dispositivo (Pc): 32W
- Tipo: canal N
- Número de pines: 3
- Montaje through hole
- Encapsulado: TO220F
[La imagen sólo se usa como referencia]
| Voltaje colector-emisor | 600V |
| Voltaje colector-emisor de saturación | 2V |
| Corriente del colector DC máxima IGBTs | 20A |
| Potencia | 32V |
| Encapsulado semiconductores | TO220F |
STGB19NC60KD-Datasheet.PDF
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