Transistor mosfet canal N 200V 31A con diodo de recuperación ultra rápido. Para conversores DC-DC de alta frecuencia.
Características:
- Drain-to-Source Breakdown Voltage: 1200V máximo
- Corriente de colector Ic: 30A máximo
- Potencia: 160W máxima
- Encapsulado: TO-247-3
Corriente ID | 30A |
Voltaje Vds | 1200V |
Potencia | 160W |
Encapsulado semiconductores | TO-247-3 |
IRG4PH40KD-Datasheet.pdf
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