Transistor MOSFET PMOS-dual.
Características:
- Número de canales: 2
- Tipo: Canal-P
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: - 30V
- Id - Continuous Drain Current: - 6.9A
- Rds On - Drain-Source Resistance: 45mΩ
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: - 2.1V
- Vgs - Gate-Source Voltage: 20V
- Rango de operación de temperatura: - 55°C ~ 150°C
- Encapsulado: SO-8
Nota: La imagen se usa solo como referencia.
| Corriente ID | 6.9A |
| Voltaje Vds | 30V |
| Encapsulado semiconductores | SO-8 |
DMP3056LSD-13-Datasheet.pdf
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