Transistor NPN con polarizacion predefinida (pre-Biased)
Caracerísticas:
- Voltaje de ruptura Colector-Emisor: 50V
- Resistencia de base (R1): 10K ohm
- Resistencia base-emisor (R2): 10K ohm
- Voltaje de saturación Colector-Emisor: 300mV @ Ib=500uA, Ic=10mA
- Corriente máxima de Colector: 100mA
- Ganancia de corriente DC: 30 @ Ic=20mA, Vce=5V
- Potencia máxima: 200mW
- Velocidad de transición: 250MHz
- Encapsulado: SOT-23-3
| Voltaje colector-emisor | 50V |
| Corriente de colector | 100mA |
| Potencia | 200mW |
| Encapsulado semiconductores | SOT-23-3 |
DDTC(R1=R2 SERIES) CA-Datasheet.pdf
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