Mosfet canal N de montaje superficial VDS:60V
Características:
- Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Vds: 60 V
- Corriente de drenaje continua Id: 150 uA
- Resistencia entre drenaje y fuente Rds On: 5 Ohms
- Tensión entre puerta y fuente Vgs: - 20 V, + 20 V
- Tensión umbral entre puerta y fuente Vgs th: 3V
- Disipación de potencia Dp: 330 mW
- Polaridad: N
- Encapsulado: SOT-23-3
- Montaje superficial SMD
| Voltaje Vds | 60V |
| Potencia | 330mW |
| Encapsulado semiconductores | SOT-23-3 |
BS170F-Datasheet.pdf
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