MOSFET BS170 Canal N 60V 500mA TO-92

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MOSFET BS170 Canal N 60V 500mA TO-92

[BS170] MOSFET BS170 Canal N 60V 500mA TO-92

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Transistor MOSFET Canal N, 60V, 500mA, encapsulado TO-92.

Características:

  • Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V
  • Corriente Id: 500mA (a temperatura ambiente)
  • Potencia máxima: 800mW (a temperatura ambiente)
  • Vgs máximo: ±20V
  • Temperatura de operación: - 55ºC ~ 150ºC
  • Encapsulado: TO-92-3

Nota: La imagen se usa solo como referencia.

 


Corriente ID 500mW
Voltaje Vds 60V
Potencia 800mW
Encapsulado semiconductores TO-92-3
BS170-Datasheet.pdf
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