Transistor FET de canal N. Encapsulado TO-3P
Características:
- Voltaje Drain-Source máximo: 900V
- Corriente Drain máxima: 5A @ 25°C
- Resistencia Drain-Source On-State máxima: 125 Ohm
- Máxima potencia de disipación: 100W @ 25°C
- Tipo de canal de control: canal-N
- Temperatura de operación máxima: 150°C
- Encapsulado: TO-3P
- Montaje through hole
[La imagen sólo se usa como referencia]
| Corriente ID | 5A |
| Voltaje Vds | 900V |
| Potencia | 100W |
| Encapsulado semiconductores | TO-3P |
2SK12020-Datasheet.pdf
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