Transistor NPN. Encapsulado TO-3P. Usado en aplicaciones de amplificación de alta potencia.
Características:
- Voltaje colector emisor: 140V máximo
- Voltaje colector base: 200V máximo
- Corriente de colector: 12A máximo
- Disipación total: 100W
- Temperatura de operación: hasta 150°C
- Encapsulado: TO-3P
Es complementario con el transistor PNP 2SB817
| Voltaje colector-emisor | 140V |
| Corriente de colector | 12A |
| Potencia | 100W |
| Encapsulado semiconductores | TO-3P |
2SD1047-Datasheet.pdf
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