Mosfet canal N de montaje tipo through hole. VDS:60V.
Características:
- Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Vds: 60 V
- Corriente de drenaje continua Id: 350 mA
- Resistencia entre drenaje y fuente Rds On: 1.2 Ohms
- Tensión entre puerta y fuente Vgs: - 20 V, + 20 V
- Tensión umbral entre puerta y fuente Vgs th: 800 mV
- Disipación de potencia Dp: 400 mW
- Polaridad: N
- Encapsulado: TO-92-3
- Montaje through hole
| Corriente ID | 350mA |
| Voltaje Vds | 60V |
| Potencia | 400mW |
| Encapsulado semiconductores | TO-92-3 |
NDS7002A-Datasheet.pdf
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