Transistores JFET de canal P diseñado para aplicaciones de amplificadores de bajo nivel.
Características:
- Voltaje Drain - Gate VDG: 40VDC
- Voltaje Reverse Gate - Source VGSR: 40VDC
- Corriente de puerta delantera IG (f): 10mA
- Disipación total del dispositivo @ TA = 25°C PD 350mW
- Rango de temperatura de unión TJ -65 a +135°C
- Encapsulado: TO-92
Palabras claves:transistor, amplificador, JFET, canal P
| Máxima corriente | 10mA |
| Encapsulado semiconductores | TO-92 |
2N5460-Datasheet.PDF
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