Transistor NPN 40V 200mA SOT-23

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Transistor NPN 40V 200mA SOT-23

[2N3904SMD] Transistor NPN 40V 200mA SOT-23

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  • Corriente de colector
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  • Encapsulado semiconductores

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Transistor NPN de proposito general. SMD.

Características:

  • Voltaje de ruptura Colector-Emisor: 40V
  • Voltaje de saturación Vce: 0.3V @ Ib=5mA, Ic=50mA
  • Corriente máxima de Colector: 200mA
  • Máxima disipación de potencia: 350mW
  • Encapsulado: SOT-23
  • Montaje superficial

Voltaje colector-emisor 40V
Corriente de colector 200mA
Potencia 350mW
Encapsulado semiconductores SOT-23
2N3904-Datasheet.PDF
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