Transistor JFET canal N 2N3819. 25V 10mA

Precio:

1.600,55


DDKUN200 FDM 3D Printer 200x200x200mm
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1.451.995,16
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Kit motor y rueda omnidireccional, izquierda
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34.557,60
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Transistor JFET canal N 2N3819. 25V 10mA

[2N3819] Transistor JFET canal N 2N3819. 25V 10mA

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Transistor JFETcanal N, diseñado para aplicaciones VHF y UHF, posee algunas características muy buenas como ruido y distorsión muy bajos, alta ganancia y sensibilidad, amplificación de señal de calidad y también puede usarse para amplificación de señal de muy bajo nivel de ruido. Utilizado en gran variedad de aplicaciones por sus características como: circuitos mezcladores y amplificadores de alta frecuencia, circuitos osciladores, circuitos de conmutación analógica de alta velocidad, módulos de RF, controles de tono, amplificadores de bajo nivel de ruido, receptores y transmisores y circuitos sensores.

 

Características:

  • Máximo voltaje Vds: 25V
  • Máxima corriente Id: 10mA
  • Dispación de potencia: 360mW
  • Polaridad: Canal- N
  • Número de pines: 3
  • Encapsulado TO-92
  • Montaje through hole
  • Temperatura de trabajo máximo: 125°C


 

 

 

 

 

 

 


Palabras claves:transistor JFET, canal N, TO-92

Máxima corriente 10mA
Máximo voltaje Vds 25V
Potencia 360mW
Encapsulado semiconductores TO-92
2N3819-Datasheet.pdf
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