Transistor BJT NPN S8050 40V 100mA

Transistor BJT (empalme bipolar) NPN. De propósito general, empleado principalmente en amplificación de audio.

Características:

• Voltaje colector base: 40V
• Voltaje colector emisor: 25V
• Corriente de colector: 1.5A
• Ganancia (hFE): 40-300
• Disipación de potencia máxima: 1W
• Número de pien:3
• Encapsulado: TO-92
• Montaje through hole
• Temperatura de operación: - 55°C ~ 150°C
• Complementario al SS8550

[La imagen sólo se usa como referencia]

Hoja de datos de referencia:

Palabras claves:transistor NPN, amplificador