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Transistor mosfet canal-N 30V 42A HY1403D

Ref: HY1403D
Transistor mosfet canal N de montaje superficial, 30V, 42A. Encapsulado TO-252-2L.
Descripción:

Transistor mosfet canal N de montaje superficial, 30V, 42A. Puede ser utilizado en gran variedad de aplicaciones con sistemas de inversión de potencia.

 

Características:

  • Continuous Drain Current, ID 42A @ 25C
  • Drain-to-Source Voltage, VDSS: 30V máximo
  • Power dissipation: 30W
  • Encapsulado: TO-252-2L

 

Datos técnicos

 

 

 

 

 

 

 

 


Palabras claves: transistor, Mosfet, canal N, TO-252-2L