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Transistor mosfet canal-N 200V IRF630

Ref: IRF630
Transistor mosfet de polaridad N, empaque TO-220.
Descripción:

Transistor mosfet de polaridad N, empaque TO-220.

 

Características:

  • Polaridad del transistor:N
  • Voltaje máximo Vds: 200V
  • Máxima corriente Id: 9A
  • Resistencia Rds: 400mΩ (0.4Ω)
  • Máximo voltaje Vgs: 3V
  • Potencia de disipación: 100W
  • Número de pines: 3
  • Empaque: TO-220
  • Montaje tipo through hole

 

Datos técnicos

 

 

 


Palabras claves: transistor, Mosfet, canal N, TO-220, through hole